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功率芯片

發(fā)布時間:2021-04-21 18:02:34   點擊量:

品牌:智能功率芯片
型號: 智能功率芯片
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IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護電路構成,如圖1所示。其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅(qū)動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng),中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。


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